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深圳市明佳達電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

DD171N12KA

產(chǎn)品說明：34 mm整流二極管，電壓 1200 V，采用壓力觸點技術(shù)

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
ND89N16K

產(chǎn)品說明：20 mm單整流二極管模塊，采用壓力觸點技術(shù)，電壓為 1600 V

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
ND89N12K

產(chǎn)品說明：20 mm 單整流二極管模塊，采用壓力觸點技術(shù)，電壓為 1200 V

封裝：模塊
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC020N03MSG

產(chǎn)品說明：OptiMOS? 3M 系列功率 MOSFET，30V

封裝：PG-TDSON-8
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
ND171N18K

產(chǎn)品說明：34 毫米單整流二極管模塊，電壓 1800 V，采用壓力觸點技術(shù)

封裝：模塊
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
DD98N22K

產(chǎn)品說明：20 毫米整流二極管模塊，電壓 2200 V，采用壓力觸點技術(shù)

封裝：模塊
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1441KV33-133BZM

產(chǎn)品說明：36-Mbit 同步直通式 SRAM 存儲器 IC

封裝：FBGA-165
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
DD89N14K

產(chǎn)品說明：20 毫米整流二極管模塊，電壓 1400 V，采用壓力觸點技術(shù)

封裝：模塊
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
DD89N12K

產(chǎn)品說明：20 毫米整流二極管模塊，采用壓力觸點技術(shù)，電壓 1200 V

封裝：模塊
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1059H30-10ZSXI

產(chǎn)品說明：8Mbit 并行異步 SRAM 存儲器 IC帶糾錯碼

封裝：PG-TSOP-44
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1061GN30-10ZSXI

產(chǎn)品說明：16Mbit 并行異步 SRAM 存儲器 IC

封裝：PG-TSOP-54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1061GN18-15ZSXI

產(chǎn)品說明：16Mbit 并行異步 SRAM 存儲器 IC

封裝：PG-TSOP-54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1061GN30-10ZXI

產(chǎn)品說明：16Mbit 并行異步 SRAM 存儲器 IC

封裝：PG-TSOP-48
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1061GN30-10BVJXI

產(chǎn)品說明：16Mbit 并行異步 SRAM 存儲器 IC

封裝：VFBGA-48
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C10612GN30-10ZSXI

產(chǎn)品說明：16Mbit 并行異步 SRAM 存儲器 IC

封裝：PG-TSOP-54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1069GN30-10ZSXI

產(chǎn)品說明：16Mbit 并行異步 SRAM 存儲器 IC

封裝：PG-TSOP-54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共5671記錄?上一頁1... 4567891011...355下一頁?
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