商品名稱:CYW54590RKUBGT
數(shù)據手冊:CYW54590RKUBGT.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CYW54590RKUBGT 是一款完整的雙頻(2.4 GHz 和 5 GHz)Wi-Fi 5 2×2 MIMO MAC?/PHY/Radio 片上系統(tǒng)。這款 Wi-Fi 5 單芯片器件高度集成了雙流 IEEE 802.11ac MAC?/基帶/無線電和 Bluetooth? 5.1。
功能
Wi-Fi 5(802.11ac),雙頻(2.4/5GHz)
雙 MAC? 架構:2x2 MIMO
RSDB 支持 2.4GHz 和 5GHz 同時運行
20/40/80 MHz 信道,PHY 數(shù)據速率高達 867MHz
在 STA 模式下支持 MU-MIMO(第 2 波
內部 PA 和 LNA,支持外部 PA/LNA
PCle Gen1(符合 3.0 標準),SDIO 主機接口
1 類(100 米)和 2 類(10 米)操作
藍牙? 5.1:支持 LE-2Mbps、LE-長距離、LE-廣告擴展
專用藍牙? 路徑,可實現(xiàn)最佳 Coex 性能
UART 用于 Bluetooth?,I2C/PCM 用于 Bluetooth? 音頻
3.0 V 至 4.8 V 電源,帶內部穩(wěn)壓器。
GPIO: 20
優(yōu)勢
符合 IEEE Wi-Fi 5 802.11 a/b/g/n/ac 標準的 Wi-Fi w/ 2X2 MIMO 提供與接入點的最佳互操作性,提供無縫高清視頻/音頻體驗
先進的共存引擎,可實現(xiàn)最佳的 Wi-Fi 和 Bluetooth? 性能
雙模 Bluetooth? 5.1 支持長距離、高速 (2Mbps) 和廣告擴展
高速接口 PCIe 3.0 和 SDIO
間距更小的 0.4mm WLBGA 封裝,適合低成本板載芯片設計
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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