商品名稱:STM32U595ZJT6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32U595ZJT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:144-LQFP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STM32U595ZJT6 器件屬于超低功耗微控制器系列,基于高性能的 Arm? Cortex?-M33 32 位 RISC 內(nèi)核,工作頻率高達(dá) 160 MHz。
STM32U595ZJT6 微控制器具有高達(dá) 200 萬字節(jié)的閃存(雙庫(kù))和 786 千字節(jié)的 SRAM,性能更上一層樓。STM32U5 是一個(gè)大型產(chǎn)品組合,采用 8 種封裝(從 48 引腳到 169 引腳),支持高達(dá) 125°C 的環(huán)境溫度。
特性
1.71 V 至 3.6 V 電源
-40 °C 至 +85/125 °C溫度范圍
160 nA 關(guān)機(jī)模式(24 個(gè)喚醒引腳)
210 nA 待機(jī)模式(24 個(gè)喚醒引腳)
440 nA 帶 RTC 的待機(jī)模式
1.9 μA 帶 16 KB SRAM 的停止 3 模式
4.3 μA 帶全 SRAM 的停止 3 模式
4.0 μA 停止 2 模式,帶 16 字節(jié) SRAM
8.95 μA 停止 2 模式,帶全 SRAM
19.5 μA/MHz 運(yùn)行模式 @ 3.3 V
4 至 50 MHz 晶體振蕩器
用于 RTC 的 32 kHz 晶體振蕩器 (LSE)
內(nèi)部 16 MHz 工廠微調(diào) RC (+1%)
內(nèi)部低功耗 32 kHz RC(+5)
帶時(shí)鐘恢復(fù)功能的內(nèi)部 48 MHz
用于系統(tǒng)時(shí)鐘、USB、音頻、ADC 的 3 個(gè) PLLS
1 個(gè) USB Type-C /USB 電源交付控制器
1 個(gè) USB OTG 2.0 低速控制器
2 個(gè) SAls(串行音頻接口)
4 個(gè) I2C FM+(1 Mbit/s)、SMBus/PMBus
6 個(gè) USART(ISO 7816、LIN、IrDA、調(diào)制解調(diào)器)
3 個(gè) SPI(帶雙 OCTOSPI 的 5x SPI)
1 個(gè) CAN FD 控制器
2 個(gè) SDMMC 接口
應(yīng)用
可穿戴設(shè)備
個(gè)人醫(yī)療設(shè)備
家庭自動(dòng)化
工業(yè)傳感器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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