商品名稱:STM32L443VCI6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32L443VCI6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:100-UFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STM32L443VCI6 器件嵌入了高速存儲(chǔ)器、Quad SPI 閃存接口以及連接到兩個(gè) APB 總線、兩個(gè) AHB 總線和一個(gè) 32 位多 AHB 總線矩陣的大量增強(qiáng)型 I/O 和外設(shè)。
STM32L443VCI6 器件為嵌入式閃存和 SRAM 嵌入了多種保護(hù)機(jī)制:讀出保護(hù)、寫保護(hù)、專有代碼讀出保護(hù)和防火墻。
特性
1.71 V 至 3.6 V 電源
-40 °C 至 85/105/125 °C 溫度范圍
VBAT 模式下 200 nA:為 RTC 和 32x32 位備份寄存器供電
8 nA 關(guān)機(jī)模式(5 個(gè)喚醒引腳)
28 nA 待機(jī)模式(5 個(gè)喚醒引腳)
280 nA 帶 RTC 的待機(jī)模式
1.0 μA 停止 2 模式,1.28 μA 帶 RTC
84 μA/MHz 運(yùn)行模式
批量采集模式 (BAM)
4 μs 從停止模式喚醒
斷電復(fù)位 (BOR)
互連矩陣
4 至 48 MHz 晶體振蕩器
用于 RTC 的 32 kHz 晶體振蕩器(LSE)
內(nèi)部 16 MHz 工廠微調(diào) RC(±1)
內(nèi)部低功耗 32 kHz RC(±5)
內(nèi)部多速 100 kHz 至 48 MHz 振蕩器,由 LSE 自動(dòng)微調(diào)(精度優(yōu)于 ±0.25)
帶時(shí)鐘恢復(fù)功能的內(nèi)部 48 MHz
用于系統(tǒng)時(shí)鐘、USB、音頻、ADC 的 2 個(gè) PLL
多達(dá) 83 個(gè)快速 I/O,大部分具有 5 V 容差
帶硬件日歷、警報(bào)和校準(zhǔn)功能的 RTC
8×40 或 4×44 LCD,帶升壓轉(zhuǎn)換器
多達(dá) 21 個(gè)電容式感應(yīng)通道:支持觸摸鍵、線性和旋轉(zhuǎn)式觸摸傳感器
14 通道 DMA 控制器
真正的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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