FS13MR12W2M1H-C55 CoolSiC? MOSFET 1200 V、13 mΩ 6 封裝模塊，采用 CoolSiC? MOSFET 增強型 1 代、集成 NTC 溫度傳感器和 PressFIT 觸點技術、氮化鋁陶瓷。
特點
同類最佳封裝，高度為 12 毫米
領先的 WBG 材料
極低的模塊雜散電感
增強型 CoolSiC? MOSFET 1 代
更大的柵極驅動電壓窗口
柵極-源極電壓為 +23 V 和 -10 V
過載條件下的 Tvjop 高達 175°C
PressFIT 引腳
集成 NTC 溫度傳感器
優(yōu)勢
出色的模塊效率
系統(tǒng)成本優(yōu)勢
提高系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
實現更高頻率
提高功率密度
更好的 DCB 材料導熱性
應用
儲能系統(tǒng)
電動汽車充電
燃料電池 DC/DC 升壓轉換器
光伏
伺服電機驅動和控制
型號
品牌
封裝
數量
描述
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