商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:25+
封裝:48-UFQFPN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STM32C051C6U6是一款基于Arm Cortex-M0+ 32位RISC核心的微控制器,其工作頻率可達48 MHz?。它具有32 Kbytes的Flash存儲器和12 Kbytes的RAM,適合各種應用場景,包括消費者、工業(yè)和家電領域,并且適用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案?。
特點
包含意法半導體先進專利技術
內核:Arm? 32位Cortex?-M0+ CPU,頻率可達48 MHz
存儲器
高達64 KB的Flash存儲器,帶保護功能和安全區(qū)域
12 KB的SRAM,支持硬件奇偶校驗
CRC計算單元
復位和電源管理
電壓范圍:2.0 V至3.6 V
上電/掉電復位 (POR/PDR)
可編程欠壓復位 (BOR)
低功耗模式:睡眠、停止、待機、關斷
時鐘管理
4 MHz至48 MHz晶振
帶校準功能的32 kHz晶振
內置48 MHz RC振蕩器 (±1%)
內置32 kHz RC振蕩器 (±5%)
高速I/O端口多達45個
所有端口均可映射到外部中斷向量
所有均為5 V耐壓
支持靈活映射的5通道DMA控制器
12位0.4 μs ADC(多達19個外部通道)
轉換范圍:0 V到3.6 V
9個定時器:1個用于高級電機控制的16位定時器、1個32位定時器、4個16位通用定時器、2個看門狗定時器和1個SysTick定時器
支持警報功能的日歷RTC
通信接口
2個I2C總線接口,通過額外的恒流源支持極速模式 (1 Mbit/s),其中一個支持SMBus/PMBus?以及從停止模式喚醒功能
2個USART,支持主/從同步SPI;其中1個支持ISO7816接口、LIN、IrDA功能、自動波特率檢測和喚醒功能
2個SPI (24 Mbit/s),具有4至16位可編程位幀,其中一個與I2S接口復用;通過USART提供2個額外SPI
開發(fā)支持:串行線調試 (SWD)
96位唯一ID碼
所有封裝均符合ECOPACK 2標準
STM32C0系列MCU具有-40°C至+125°C的環(huán)境溫度范圍和2.0V至3.6V的電源電壓范圍。STM32C051C6U6的優(yōu)化動態(tài)功耗與省電模式相結合,可實現(xiàn)低功耗應用設計。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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