商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:FBGA-64
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
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S70GL02GS12FHIV10 是一款 2Gb(256M × 8 / 128M × 16)并行NOR閃存,采用 64-FBGA封裝(11×13mm),適用于高可靠性嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用。該芯片基于 MirrorBit? Eclipse? 技術(shù),提供 120ns 訪問時(shí)間,支持 CFI(通用閃存接口),適用于工業(yè)控制、汽車電子及通信設(shè)備等領(lǐng)域。
S70GL02GS12FHIV10 核心特性
高性能存儲(chǔ)架構(gòu)
存儲(chǔ)容量:2Gb(128M × 16 / 256M × 8),支持 x8/x16 并行數(shù)據(jù)總線。
訪問時(shí)間:120ns(隨機(jī)讀?。?,適用于高速數(shù)據(jù)處理。
低功耗設(shè)計(jì)
工作電壓:1.65V ~ 3.6V,兼容低功耗系統(tǒng)需求。
待機(jī)電流:低至 0.2mA(典型值),優(yōu)化能效。
高可靠性
工業(yè)級(jí)溫度范圍:-40°C ~ +85°C(部分型號(hào)支持-40°C ~ +105°C)。
耐久性:10萬次擦寫周期,數(shù)據(jù)保持 20年。
靈活接口與功能
CFI 兼容:支持標(biāo)準(zhǔn)閃存接口,簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成。
OTP(一次性編程)區(qū)域:2048字節(jié),用于安全密鑰存儲(chǔ)。
S70GL02GS12FHIV10 規(guī)格參數(shù)
存儲(chǔ)容量:2Gbit(256MB)
存儲(chǔ)器組織:128M x 16
接口類型:并行接口
工作電壓:2.7V 至 3.6V
訪問時(shí)間:120ns
工作溫度:-40°C 至 +85°C
封裝類型:64 引腳 FBGA
安裝類型:表面貼裝
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA-24
3000
FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 256Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 24-BGA(8x6)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB35N10S3L-26
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【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,78 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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