商品名稱(chēng):STM32U545REI6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32U545REI6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:64-UFBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
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STM32U545REI6 超低功耗 Arm? Cortex?-M33 MCU+TrustZone?+FPU,240 DMIPS,512 KB 閃存,274 KB SRAM,加密
產(chǎn)品描述
STM32U545REI6 是一款高性能 Arm? Cortex?-M33 32 位 RISC 內(nèi)核微控制器 IC。工作頻率高達(dá) 160 MHz。該器件嵌入了高速存儲(chǔ)器(512-Kbyte 閃存和 274-Kbyte SRAM)、一個(gè) Octo-SPI 閃存接口、大量增強(qiáng)型 I/O、連接到三個(gè) APB 總線、三個(gè) AHB 總線和一個(gè) 32 位多 AHB 總線矩陣的外設(shè)。
產(chǎn)品特性
通過(guò) FlexPowerControl 實(shí)現(xiàn)超低功耗
1.71 V 至 3.6 V 電源
-40 °C 至 +85/125 °C 溫度范圍
內(nèi)核 帶 TrustZone? 的 Arm? 32 位 Cortex?-M33 CPU、MPU、DSP 和 FPU
用于外部存儲(chǔ)器的 4K 字節(jié)數(shù)據(jù)高速緩存
512KB 閃存,帶 ECC、2 組邊讀邊寫(xiě)和 100KB 周期
274K 字節(jié) SRAM,包括 ECC 開(kāi)啟的高達(dá) 64K 字節(jié) SRAM
1 個(gè) Octo-SPI 存儲(chǔ)器接口
4 至 50 MHz 晶體振蕩器
用于 RTC 的 32 kHz 晶體振蕩器(LSE)
內(nèi)部 16 MHz 工廠微調(diào) RC(±1)
內(nèi)部低功耗 32 kHz RC(±5)
1 x SAI(串行音頻接口)
4 x I2C FM+(1 Mbit/s)、SMBus/PMBus? 接口
5 x USART(ISO 7816、LIN、IrDA、調(diào)制解調(diào)器)
3 x SPI(4 x SPI,帶 OCTOSPI)
多達(dá) 20 個(gè)電容式傳感通道
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車(chē)規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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