商品名稱:STM32U5A5ZJT6
數(shù)據手冊:STM32U5A5ZJT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:144-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
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STM32U5A5ZJT6 是基于高性能 Arm? Cortex?-M33 32 位 RISC 內核的超低功耗微控制器。工作頻率高達 160 MHz。
產品描述
STM32U5A5ZJT6 內嵌高速存儲器(4 Mbytes 閃存和 2.5 Mbytes SRAM)、用于靜態(tài)存儲器的 FSMC(靈活的外部存儲器控制器)(適用于 100 引腳及以上封裝的器件)、兩個 Octo-SPI 和一個 Hexadeca-SPI 存儲器接口(所有封裝上至少有一個 Quad-SPI)以及連接到三個 APB 總線、三個 AHB 總線和一個 32 位多 AHB 總線矩陣的大量增強型 I/O 和外設。
產品特性
通過 FlexPowerControl 實現(xiàn)超低功耗
1.71 V 至 3.6 V 電源
- 40 °C 至 + 85/125 °C 溫度范圍
18.5 μA/MHz 3.3 V 下的運行模式
內核:Arm? 32 位 Cortex?-M33 CPU,帶 TrustZone?、MPU、DSP 和 FPU
帶 ECC 的 4M 字節(jié)閃存,2 組同時讀寫,包括 512K 字節(jié),100 kcycles
1 x USB Type-C?/USB 電源傳輸控制器
1 x USB OTG 高速嵌入式 PHY
2 x SAI(串行音頻接口)
6 個 I2C FM+(1 Mbit/s)、SMBus/PMBus? 接口
7 x USART(ISO 7816、LIN、IrDA、調制解調器)
3 x SPI(6 x SPI,帶 OCTOSPI/HSPI)
1 x CAN FD 控制器
2 x SDMMC 接口
多達 25 個通信外設
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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